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根据晶体管的参数不同进行晶体管电路设计

2021-12-01 18:14:08 阅读 9121次 标签: 电路设计晶体管电路设计 作者: 就要就要么
    晶体管电路设计还有不同参数的说法,根据不同的参数设计来进行不同类型的电路设计,一般电路设计出现在研究室中正式设计。我们也会发现我们生活中的每个电路实质上还是有一定的区别,有些需要大电量的地方肯定电路设计与晶体管的材料选取都不相同,电路当中会有各种电流走向与大小还有与电压的关系的等方面问题需要考虑。那让我们一起来看一看根据晶体管的参数不同进行晶体管电路设计吧!

根据晶体管的参数不同进行晶体管电路设计

    根据晶体管的参数不同进行晶体管电路设计

    晶体管电路设计直流电流放大系数

    直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。

    晶体管电路设计集电极最大电流ICM

    集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。

    晶体管电路设计最大反向电压

    最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

    晶体管电路设计交流电流放大系数

    交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。

    晶体管电路设计特征频率fT 

    晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

    晶体管电路设计耗散功率

    耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

    以上就是根据晶体管的参数不同进行晶体管电路设计的详细介绍,越来越多奇怪的电路设计出现,然而就更加需要晶体管的需求设计,这也是必要的一大工程。一品威客网平台拥有晶体管电路设计公司加入,只要您发布您的任务需求,就会有百万专业人员为您提供专业晶体管电路设计服务。
Tag: 电路设计

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